GDDR6 SDRAM

Graphics Double Data Rate 6 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (GDDR6 SDRAM) adalah jenis memori akses acak grafis sinkron (SGRAM) dengan antarmuka double data rate berlebar pita tinggi, dirancang untuk digunakan pada kartu grafis, konsol permainan video, dan komputasi berkinerja tinggi. Memori ini termasuk salah satu jenis GDDR SDRAM (DDR SDRAM grafis) dan merupakan penerus dari GDDR5. Sama seperti GDDR5X, GDDR6 menggunakan istilah QDR (quad data rate) untuk merujuk pada clock perintah tulis (WCK) dan ODR (Octal Data Rate) untuk clock perintah (CK).^[1]

Gambaran umum

Spesifikasi final GDDR6 dipublikasikan oleh JEDEC pada Juli 2017.^[2] GDDR6 menawarkan peningkatan lebar pita per pin (hingga 16 Gbit/s^[3]) dan tegangan operasi yang lebih rendah (1,35 V^[4]), sehingga meningkatkan performa sekaligus menurunkan konsumsi daya dibandingkan GDDR5X.^[5]

Implementasi komersial

Pada acara Hot Chips 2016, Samsung mengumumkan GDDR6 sebagai penerus GDDR5X.^[5] Samsung kemudian mengumumkan bahwa produk pertamanya akan berupa cip 16 Gbit/s dengan tegangan 1,35 V.^[6] Pada Januari 2018, Samsung memulai produksi massal cip GDDR6 berkapasitas 16 Gb (2 GB), diproduksi dengan proses fabrikasi kelas 10 nm dan laju data hingga 18 Gbit/s per pin.^[7]

Pada Februari 2017, Micron Technology mengumumkan akan merilis produk GDDR6 miliknya sendiri pada awal tahun 2018.^[8] Micron memulai produksi massal cip 8 Gb pada Juni 2018.^[9]

SK Hynix mengumumkan produk GDDR6 miliknya akan dirilis pada awal 2018.^[3] SK Hynix mengumumkan pada April 2017 bahwa cip GDDR6 mereka akan diproduksi dengan proses 21 nm dan bertegangan 10% lebih rendah dibandingkan GDDR5.^[3] Cip SK Hynix ini diperkirakan memiliki laju transfer 14–16 Gbit/s.^[4] SK Hynix memulai produksi massal pada Februari 2018, dengan cip 8 Gbit dan laju data 14 Gbit/s per pin.^[10]

Nvidia secara resmi mengumumkan kartu grafis konsumen pertama yang menggunakan GDDR6, yaitu GeForce RTX 2080 Ti, RTX 2080, dan RTX 2070 berbasis arsitektur Turing pada 20 Agustus 2018,^[11] disusul RTX 2060 pada 6 Januari 2019, dan GTX 1660 Ti pada 22 Februari 2019. Memori GDDR6 dari Samsung Electronics juga digunakan pada seri Quadro RTX berbasis Turing.^[12] Seri RTX 20 awalnya diluncurkan dengan cip memori Micron, sebelum beralih ke cip Samsung pada November 2018.

AMD secara resmi mengumumkan Radeon RX 5700, 5700 XT, dan 5700 XT 50th Anniversary Edition pada 10 Juni 2019. GPU berbasis Navi 10 ini menggunakan 8 GB memori GDDR6.^[13]

GDDR6X

Micron mengembangkan GDDR6X dengan kerja sama erat bersama Nvidia. GDDR6X SGRAM belum distandarkan oleh JEDEC. Nvidia merupakan satu-satunya mitra peluncuran GDDR6X milik Micron.^[14] GDDR6X menawarkan peningkatan lebar pita per pin antara 19–21 Gbit/s dengan persinyalan PAM4, yang memungkinkan pengiriman dua bit per simbol dan menggantikan pengkodean NRZ (non return to zero, PAM2) sebelumnya yang hanya mampu mengirim satu bit per simbol, sehingga membatasi lebar pita per pin GDDR6 hingga 16 Gbit/s.^[15] Kartu grafis pertama yang menggunakan GDDR6X adalah Nvidia GeForce RTX 3080 dan RTX 3090. Persinyalan PAM4 sebenarnya bukan hal baru, tetapi biaya implementasinya lebih mahal, sebagian karena membutuhkan lebih banyak ruang pada cip dan lebih rentan terhadap masalah rasio sinyal terhadap derau (SNR), yang sebelumnya membatasi penggunaannya terutama pada jaringan berkecepatan tinggi (seperti Ethernet 200G). GDDR6X mengonsumsi daya 15% lebih rendah per bit yang ditransfer dibandingkan GDDR6, meskipun konsumsi daya total lebih tinggi karena GDDR6X bekerja lebih cepat daripada GDDR6. Secara umum, PAM4 mengonsumsi daya lebih rendah dan menggunakan lebih sedikit pin dibandingkan persinyalan diferensial, sambil tetap lebih cepat dibandingkan NRZ. GDDR6X juga dianggap lebih murah dibandingkan High Bandwidth Memory.

GDDR6W

Samsung mengumumkan pengembangan GDDR6W pada 29 November 2022.^[16]
Keunggulan GDDR6W dibandingkan GDDR6 antara lain:

• Laju transmisi per pin yang lebih tinggi, yaitu 22 Gb/s
• Penggandaan kapasitas per paket dari 16 Gb menjadi 32 Gb
• Penggandaan jumlah pin I/O dari 32 menjadi 64
• Ketebalan yang 36% lebih tipis (0,7 mm, turun dari 1,1 mm) berkat penggunaan teknologi kemasan Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP)

Lihat pula

• Daftar laju bit antarmuka

Referensi