GDDR4 SDRAM

Graphics Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random-Access Memory (GDDR4 SDRAM) adalah salah satu jenis memori kartu grafis (SGRAM) yang dispesifikasikan oleh Standar Memori Semikonduktor JEDEC.^[1][2] Teknologi ini menjadi pesaing bagi XDR DRAM milik Rambus. GDDR4 didasarkan pada teknologi DDR3 SDRAM dan awalnya dimaksudkan untuk menggantikan GDDR3 yang berbasis DDR2, namun akhirnya digantikan oleh GDDR5 (yang juga berbasis DDR3) hanya dalam waktu sekitar setahun.

Sejarah

• Pada 26 Oktober 2005, Samsung mengumumkan telah mengembangkan memori GDDR4 pertama, yaitu cip 256-Mbit yang berjalan pada 2,5 Gbit/s. Samsung juga mengungkapkan rencana untuk menyampel dan memproduksi massal GDDR4 SDRAM dengan laju 2,8 Gbit/s per pin.^[3]
• Pada tahun 2005, Hynix mengembangkan cip memori GDDR4 512-Mbit pertama.^[4]
• Pada 14 Februari 2006, Samsung mengumumkan pengembangan GDDR4 SDRAM 32-bit 512-Mbit yang mampu mentransfer 3,2 Gbit/s per pin, atau 12,8 GB/s untuk satu modul.^[5]
• Pada 5 Juli 2006, Samsung mengumumkan produksi massal GDDR4 SDRAM 32-bit 512-Mbit dengan laju 2,4 Gbit/s per pin, atau 9,6 GB/s untuk satu modul. Meskipun dirancang untuk menyamai performa XDR DRAM pada desain dengan jumlah pin tinggi, teknologi ini tidak mampu menandingi performa XDR pada desain dengan jumlah pin rendah.^[6]
• Pada 9 Februari 2007, Samsung mengumumkan produksi massal GDDR4 SDRAM 32-bit 512-Mbit dengan laju 2,8 Gbit/s per pin, atau 11,2 GB/s per modul. Modul ini digunakan pada beberapa kartu AMD-ATI.^[7]
• Pada 23 Februari 2007, Samsung mengumumkan GDDR4 SDRAM 32-bit 512-Mbit dengan laju 4,0 Gbit/s per pin atau 16 GB/s per modul, dan memperkirakan memori ini akan tersedia secara komersial pada kartu grafis menjelang akhir tahun 2007.^[8]

Teknologi

GDDR4 SDRAM memperkenalkan fitur DBI (Data Bus Inversion) dan Multi-Preamble untuk mengurangi keterlambatan transmisi data. Prefetch ditingkatkan dari 4 menjadi 8 bit. Jumlah maksimum bank memori pada GDDR4 ditingkatkan menjadi 8. Tegangan inti diturunkan menjadi 1,5 V.

Data Bus Inversion menambahkan satu pin DBI# tambahan yang bersifat active-low pada bus alamat/perintah serta pada setiap byte data. Jika terdapat lebih dari empat bit 0 dalam satu byte data, byte tersebut akan dibalik (inverted) dan sinyal DBI# dikirimkan pada kondisi rendah (low). Dengan cara ini, jumlah bit 0 di seluruh sembilan pin dibatasi maksimal empat.^[9]: 9 Fitur ini mengurangi konsumsi daya dan efek ground bounce.

Dari sisi persinyalan, GDDR4 memperluas buffer I/O cip menjadi 8 bit per dua siklus, memungkinkan lebar pita berkelanjutan yang lebih besar selama transmisi burst, namun dengan konsekuensi peningkatan signifikan pada latensi CAS (CL), yang terutama ditentukan oleh berkurangnya jumlah pin alamat/perintah serta sel DRAM yang bekerja pada setengah clock, dibandingkan GDDR3. Jumlah pin pengalamatan dikurangi hingga separuh dari inti GDDR3, dan digunakan untuk daya serta ground, yang turut meningkatkan latensi. Keunggulan lain GDDR4 adalah efisiensi daya: pada laju 2,4 Gbit/s, konsumsi dayanya 45% lebih rendah dibandingkan cip GDDR3 yang berjalan pada 2,0 Gbit/s.

Dalam lembar data (datasheet) GDDR4 SDRAM milik Samsung, memori ini disebut sebagai 'GDDR4 SGRAM', atau 'Graphics Double Data Rate versi 4 Synchronous Graphics RAM'. Namun, karena fitur penting block write tidak tersedia, memori ini tidak diklasifikasikan sebagai SGRAM.

Adopsi

Produsen memori video Qimonda (dahulu divisi Produk Memori Infineon; hak kekayaan intelektualnya kemudian dijual kepada Micron), yang kini sudah tidak beroperasi lagi, sempat menyatakan akan "melewati" (skip) pengembangan GDDR4 dan langsung beralih ke GDDR5.^[10]

Lihat pula

• Daftar laju bit antarmuka

Referensi

Pranala luar

• X-Bit Labs (GDDR4 closing in)
• X-Bit Labs (GDDR4 achieving 3.2 GHz)
• DailyTech (ATI X1950 Now September 14)
• DailyTech (ATI Radeon X1950 Announced)
• (Samsung Shipping Production GDDR4)
• Samsung Mass Producing Most Advanced Graphics Memory: GDDR4, press release