Proses 7 nm

Pembuatan perangkat semikonduktor
MOSFET scaling (node proses)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Future 002 nm ~ 2024
Half-nodes Density CMOS Perangkat (multi-gate) Hukum Moore Transistor count Semikonduktor Industri Nanoelektronik
l b s

Pada bidang manufaktur semikonduktor, dalam Peta Jalan Perangkat dan Sistem Internasional mendefinisikan proses 7 nm adalah generasi lanjutan dari teknologi MOSFET proses 10 nm. Proses ini didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) memulai produksi chip memori SRAM 256 Mbit menggunakan proses 7 nm yang disebut N7 pada Juni 2016,^[1] kemudian Samsung memulai produksi massal proses 7 nm mereka yang disebut perangkat 7LPP pada tahun 2018.^[2] Produk awal untuk teknologi prosesor 7 nm adalah Apple A12 Bionic, dirilis pada acara Apple September 2018.^[3] Meskipun Huawei mengumumkan prosesor 7 nm (Kirin 980) miliknya sendiri sebelum Apple A12 Bionic, pada 31 Agustus 2018, tetapi Apple A12 Bionic dirilis di pasarkan massal lebih awal. Kedua chip tersebut diproduksi oleh TSMC.^[4]

Pada tahun 2017 AMD merilis prosesor "Roma" (EPYC 2) untuk aplikasi server dan pusat data, yang didasarkan pada proses N7 TSMC ^[5] dengan fitur 64 inti dan 128 utas. Mereka juga merilis prosesor desktop konsumen "Matisse" dengan fitur 16 inti dan 32 utas. Namun, cetakan I/O pada modul multi-chip Roma (MCM) dibuat dengan proses 14 nm (14HP) oleh GlobalFoundries, sementara cetakan I/O Matisse menggunakan proses 12 nm (12LP+) GlobalFoundries. Seri Radeon RX 5000 juga didasarkan pada proses N7 TSMC.^[6]

Proses node 7 nm dan proses offering

	Samsung		TSMC				Intel	SMIC
Process name	7LPP[7][8]	6LPP[9]	N7[10]	N7P[11]	N7+[12]	N6	Intel 7[13][diperdebatkan – diskusikan] (10 nm)[14]	N+1 (>7 nm)	N+2 (7 nm)	7 nm EUV
Transistor density (MTr/mm2)	95.08–100.59[15][16]	Tidak diketahui	91.2–96.5[17][18]		113.9[17]	114.2[19]	100.76–106.1[20][21] 60.41[22]	89[23]	Tidak diketahui[24][butuh rujukan]	Tidak diketahui
SRAM bit-cell size	0.0262 μm2[25]	Tidak diketahui	0.027 μm2[25]		Tidak diketahui	Tidak diketahui	0.0312 μm2	Tidak diketahui	Tidak diketahui	Tidak diketahui
Transistor gate pitch	54 nm	Tidak diketahui	57 nm				54 nm	Tidak diketahui	63 nm	Tidak diketahui
Transistor fin pitch	27 nm	Tidak diketahui	N/A		Tidak diketahui	Tidak diketahui	34 nm	Tidak diketahui	Tidak diketahui	Tidak diketahui
Transistor fin height	Tidak diketahui	Tidak diketahui	N/A		Tidak diketahui	Tidak diketahui	53 nm	Tidak diketahui	Tidak diketahui	Tidak diketahui
Minimum (metal) pitch	46 nm	Tidak diketahui	40 nm				40 nm[26]	Tidak diketahui	42 nm	Tidak diketahui
EUV implementation	36 nm pitch metal;[6] 20% of total layer set	Tidak diketahui	None, used self-aligned quad patterning (SAQP) instead		4 layers	5 layers	None. Relied on SAQP heavily	None	None	Yes (after N+2)
EUV-limited wafer output	1500 wafers/day[27]	Tidak diketahui	N/A		~ 1000 wafers/day[28]	Tidak diketahui	N/A	Tidak diketahui	Tidak diketahui	Tidak diketahui
Multipatterning (≥ 2 masks on a layer)	Fins Gate Vias (double-patterned)[29] Metal 1 (triple-patterned)[29] 44 nm pitch metal (quad-patterned)[6]	Tidak diketahui	Fins Gate Contacts/vias (quad-patterned)[30] Lowest 10 metal layers		Same as N7, with reduction on 4 EUV layers	Same as N7, with reduction on 5 EUV layers		multipatterning with DUV	multipatterning with DUV	Tidak diketahui
Release status	2018 risk production 2019 production	2020 production	2017 risk production 2018 production[1]	2019 production	2018 risk production[1] 2019 production	2020 risk production 2020 production	2021 production[13]	April 2021 risk production, mass production unknown	Late 2021 risk production, quietly produced since July 2021[31]	Postponed due to US embargo

Lihat pula

• International Technology Roadmap for Semiconductors
• Fabrikasi semikonduktor
• Fotolitografi
• Litografi ultraviolet ekstrem
• Litografi rendam
• ASML Holding pemasok sistem fotolitografi terbesar, terutama untuk industri semikonduktor.
• SEMI — The semiconductor industry trade association
• Electronic design automation
• Fab
• Foundry
• GDS-II
• OASIS
• Taiwan Semiconductor Manufacturing Company TSMC
• Applied Materials
• KLA Corporation
• Lam Research
• Tokyo Electron
• GlobalFoundries
• United Microelectronics Corporation
• Semiconductor Manufacturing International Corporation
• Shanghai Micro Electronics Equipment
• Sirkuit terpadu
• Mikroprosesor
• Unit Pemroses Sentral
• MOSFET
• Transistor
• Semikonduktor
• Nanometer

Referensi

Pranala luar

• 7 nm lithography process

Didahului oleh 10 nm

proses MOSFET fabrikasi perangkat semikonduktor

Dilanjutkan oleh 5 nm