" Proses 14 nanometer" mengacu pada istilah pemasaran untuk node teknologi MOSFET yang merupakan penerus node "22 nm" (atau "20 nm"). "14 nm" dinamakan demikian oleh International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Hingga sekitar tahun 2011, simpul yang mengikuti "22 nm" diharapkan menjadi "16 nm". Semua node "14 nm" menggunakan teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar.[1][2][3][4][5]
Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "14nm" adalah empat belas nanometer. Misalnya, proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor , dan proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan Proses "10 nm" Intel.[6]
Samsung Electronics meluncurkan chip "14 nm" pada tahun 2014, sebelum memproduksi chip flash NAND "kelas 10 nm" pada tahun 2013. Pada tahun yang sama, SK Hynix memulai produksi massal "16 nm" NAND flash , dan TSMC memulai produksi FinFET "16 nm". Tahun berikutnya, Intel mulai mengirimkan perangkat skala "14 nm" ke konsumen.
Node proses 14 nm
| Aturan Dasar Perangkat Logika ITRS (2015) |
Samsung[a] | TSMC[7] | Intel | GlobalFoundries[b] | SMIC | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Nama proses | 16/14 nm | 14/11 nm | 16FF (16 nm) | 16FF+ (16 nm) | 16FFC (16 nm) | 12FFC (12 nm) |
14 nm | 14LPP[8] (14 nm) | 12LP[9][10] (12 nm) |
14 nm |
| Kepadatan transistor (MTr/mm2) | ? | 32.94[6] (14 nm) 54.38[6] (11 nm) |
28.88[11] | 33.8[12] | 37.5[13][c]
44.67[15] |
30.59[6] | 36.71[6] | 30[16] | ||
| Jarak gerbang transistor (nm) | 70 | 78 – 14LPE (HD) 78 – 14LPP (HD) 84 – 14LPP (UHP) 84 – 14LPP (HP) 78 – 11LPP (UHD) |
88 | 70 (14 nm) 70 (14 nm +) 84 (14 nm ++) |
84 | ? | ||||
| Interconnect pitch (nm) | 56 | 67 | 70 | 52 | ? | ? | ||||
| Transistor fin pitch (nm) | 42 | 49 | 45 | 42 | 48 | ? | ||||
| Transistor fin width (nm) | 8 | 8 | ? | 8 | ? | ? | ||||
| Transistor fin height (nm) | 42 | ~38 | 37 | 42 | ? | ? | ||||
| Production year | 2015 | 2013 | 2013 | 2015 | 2016 | 2017 | 2014 | 2016 | 2018 | 2019 |
- ↑ Second-sourced to GlobalFoundries.
- ↑ Based on Samsung's 14 nm process.
- ↑ Intel uses this formula:[14]
0.6
×
N
A
N
D
2
T
r
C
o
u
n
t
N
A
N
D
2
C
e
l
l
A
r
e
a
+
0.4
×
S
c
a
n
F
l
i
p
F
l
o
p
T
r
C
o
u
n
t
S
c
a
n
F
l
i
p
F
l
o
p
C
e
l
l
A
r
e
a
=
{\displaystyle {\rm {0.6\times {\frac {NAND2\ Tr\ Count}{NAND2\ Cell\ Area}}+0.4\times {\frac {Scan\ Flip\ Flop\ Tr\ Count}{Scan\ Flip\ Flop\ Cell\ Area}}=}}}
# T r a n s i s t o r s / m m 2 {\displaystyle {\rm {Transistors/mm^{2}}}}
Lihat pula
- International Technology Roadmap for Semiconductors
- Fabrikasi semikonduktor
- Fotolitografi
- Litografi ultraviolet ekstrem
- Litografi rendam
- ASML Holding pemasok sistem fotolitografi terbesar, terutama untuk industri semikonduktor.
- SEMI — The semiconductor industry trade association
- Sirkuit terpadu
- MOSFET
- Transistor
- Semikonduktor
- Nanometer
Referensi
- ↑ "No More Nanometers – EEJournal". Juli 23, 2020.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Shukla, Priyank. "A Brief History of Process Node Evolution". design-reuse.com. Diakses tanggal 2019-07-09.
- ↑ Hruska, Joel. "14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists..." ExtremeTech.
- ↑ "Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022". wccftech.com. 2016-09-10.
- ↑ "Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms". eejournal.com. 2018-03-12.
- 1 2 3 4 5 Schor, David (2018-07-22). "VLSI 2018: GlobalFoundries 12nm Leading-Performance, 12LP". WikiChip Fuse (dalam bahasa American English). Diakses tanggal 2019-05-31.
- ↑ "16/12nm Technology". TSMC. Diakses tanggal November 12, 2022.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ "PB14LPP-1.0" (PDF). GlobalFoundries. Diarsipkan dari asli (PDF) tanggal September 5, 2017. Diakses tanggal November 28, 2022.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ "PB12LP-1.1" (PDF). GlobalFoundries. Diarsipkan dari asli (PDF) tanggal Desember 27, 2018. Diakses tanggal November 28, 2022.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Schor, David (Juli 22, 2018). "VLSI 2018: GlobalFoundries 12nm Leading-Performance, 12LP". WikiChip Fuse.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Schor, David (April 16, 2019). "TSMC Announces 6-Nanometer Process". WikiChip Fuse (dalam bahasa American English). Diakses tanggal Mei 31, 2019.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ "7nm vs 10nm vs 14nm: Fabrication Process - Tech Centurion". November 26, 2019.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ "Intel Now Packs 100 Million Transistors in Each Square Millimeter". IEEE Spectrum: Technology, Engineering, and Science News (dalam bahasa Inggris). Maret 30, 2017. Diakses tanggal 2018-11-14.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Bohr, Mark (Maret 28, 2017). "Let's Clear Up the Node Naming Mess". Intel Newsroom. Diakses tanggal Desember 6, 2018.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ "Intel's 10nm Cannon Lake and Core i3-8121U Deep Dive Review".
- ↑ "SMIC-14nm". SIMC.