Jumat, 25 September 2026
20:40 WIB
TERKINI
Regional Bupati Gowa Sitti Husniah Talenrang Tersangka Pemerasan Perizinan Bangunan dan TPPU Bandar Lampung Puluhan Siswa di Lampung Tengah Diduga Keracunan Makanan Program MBG Account KG Media ID: Satu Akun untuk Kemudahan Akses Seluruh Layanan Digital Ekonomi Dan Bisnis Harga Buyback Emas Antam Anjlok Rp20 Ribu per Gram pada 25 September 2026 Lampung DPRD Lampung Tengah Soroti Perubahan Substansi Perda SOTK Tanpa Pemberitahuan Teknologi Meta Rilis Muse Charm: Gadget Saku Cerdas dengan Asisten AI Revolusioner Berita KAI Siap Gerakkan Rail Clinic ke Pelosok, Perluas Akses Kesehatan Masyarakat Bandar Lampung Inovasi Pendidikan Lampung: Guru Ahli Mengajar Lintas Sekolah Tingkatkan Mutu Nasional Bandar Lampung Tragedi Kelengkeng di Lampung Tengah: Siswa 9 Tahun Meninggal, Program MBG Dievaluasi Account KG Media ID: Satu Akun untuk Seluruh Ekosistem Digital Kompas Gramedia Regional Bupati Gowa Sitti Husniah Talenrang Tersangka Pemerasan Perizinan Bangunan dan TPPU Bandar Lampung Puluhan Siswa di Lampung Tengah Diduga Keracunan Makanan Program MBG Account KG Media ID: Satu Akun untuk Kemudahan Akses Seluruh Layanan Digital Ekonomi Dan Bisnis Harga Buyback Emas Antam Anjlok Rp20 Ribu per Gram pada 25 September 2026 Lampung DPRD Lampung Tengah Soroti Perubahan Substansi Perda SOTK Tanpa Pemberitahuan Teknologi Meta Rilis Muse Charm: Gadget Saku Cerdas dengan Asisten AI Revolusioner Berita KAI Siap Gerakkan Rail Clinic ke Pelosok, Perluas Akses Kesehatan Masyarakat Bandar Lampung Inovasi Pendidikan Lampung: Guru Ahli Mengajar Lintas Sekolah Tingkatkan Mutu Nasional Bandar Lampung Tragedi Kelengkeng di Lampung Tengah: Siswa 9 Tahun Meninggal, Program MBG Dievaluasi Account KG Media ID: Satu Akun untuk Seluruh Ekosistem Digital Kompas Gramedia
Transistor Darlington

Transistor Darlington

struktur gabungan yang terdiri dari dua transistor dwikutub/bipolar

Transistor Darlington adalah suatu rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). Sambungan yang "Seri" seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi, karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Keuntungan dari rangkaian Darlington ini adalah penggunaan ruang yang lebih kecil daripada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi "β" atau hFE.

250px-Darlington_configuration.svg.png?utm_source=id.wikipedia.org&utm_campaign=parser&utm_content=thumbnail
Diagram rangkaian dari transistor Darlington menggunakan pasangan transistor NPN

Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten, dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'.

Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai:

β i = 1 + h f e 1 h f e 2 1 + h o e 1 h o e 2 R E {\displaystyle \beta _{i}={\frac {1+h_{fe1}\,h_{fe2}}{1+h_{oe1}\,h_{oe2}\,R_{E}}}} {\displaystyle \beta _{i}={\frac {1+h_{fe1}\,h_{fe2}}{1+h_{oe1}\,h_{oe2}\,R_{E}}}}

Dan R i n = ( 1 + h f e 1 h f e 2 ) R E 1 + h f e 1 h f e 2 R E {\displaystyle R_{in}={\frac {\left(1+h_{fe1}\,h_{fe2}\right)R_{E}}{1+h_{fe1}\,h_{fe2}\,R_{E}}}} {\displaystyle R_{in}={\frac {\left(1+h_{fe1}\,h_{fe2}\right)R_{E}}{1+h_{fe1}\,h_{fe2}\,R_{E}}}}

Jika rangkaian dipakai dalam moda tunggal emitor maka RE adalah nol dan Nilai

β = 1 + h f e 1 h f e 2 {\displaystyle \beta =1+h_{fe1}\,h_{fe2}} {\displaystyle \beta =1+h_{fe1}\,h_{fe2}}

dan R i n = ( 1 + h f e 1 h f e 2 ) r e 2 {\displaystyle R_{in}=\left(1+h_{fe1}\,h_{fe2}\right)r_{e2}} {\displaystyle R_{in}=\left(1+h_{fe1}\,h_{fe2}\right)r_{e2}}

penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. Dari luar transistor Darlington tampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti tampak dalam rumus berikut:

V B E = V B E 1 + V B E 2 {\displaystyle V_{\mathrm {BE} }=V_{\mathrm {BE1} }+V_{\mathrm {BE2} }} {\displaystyle V_{\mathrm {BE} }=V_{\mathrm {BE1} }+V_{\mathrm {BE2} }}
Transistor dwikutub

BJT · UJT · HBT · IGBT

120px-Transistor_stub.svg.png?utm_source=id.wikipedia.org&utm_campaign=parser&utm_content=thumbnail
Penggunaan transistor dwikutub
Transistor ekakutub

FET: MOSFET (ISFET · DNAFET) · JFET (FREDFET · MESFET) · HEMT

Penggunaan transistor ekakutub
Gabungan transistor
Konten disalin dari Wikipedia Bahasa Indonesia (lisensi CC BY-SA) Lihat versi asli di Wikipedia

Rekomendasi Pilihan