Transistor efek medan peka-ion

Transistor efek medan peka-ion (ISFET) adalah jenis transistor efek medan yang dapat digunakan untuk mengukur konsentrasi ion dalam suatu larutan.

Konstruksi

Sumber dan cerat pada ISFET dikonstruksi seperti pada MOSFET. Biasanya bahan gerbang adalah Silikon nitrit (Si₃N₄), Aluminium oksida (Al₂O₃) dan Tantalum oksida (Ta₂O₅). Elektrode gerbang dipisahkan dari kanal oleh sebuah penghalang yang sensitif terhadap ion hidrogen dan sebuah celah untuk memungkinkan larutan yang diukur untuk berhubungan dengan penghalang peka-ion.

Cara kerja

Ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus listrik yang mengaliri transistor juga berubah. Disini, larutan yang diukur digunakan sebagai elektrode gerbang. Hidrolisis permukaan dari kelompok OH pada bahan gerbang bervariasi pada larutan aquos yang dikenakan pada transistor karena harga pH. Tegangan listrik yang membentangi badan dan permukaan oksida meningkat disebabkan oleh selongsong ion disekitar pertemuan. Tegangan tahan pada ISFET juga bergantung pada pH dari larutan yang berhubungan dengan penghalang peka-ion.

Penggunaan

Sesuai dengan namanya, transistor ini digunakan sebagai elemen pengindera pada alat pengukur pH elektronik. Walaupun keakuratannya masih rendah, komponen ini tetap digunakan karena praktis dan relatif murah.

Lihat pula

FET
DNAFET, transistor sejenis yang digunakan sebagai pembanding DNA.
MOSFET, transistor yang merupakan struktur dasar ISFET.

l b s Transistor
Transistor dwikutub	BJT · UJT · HBT · IGBT
Penggunaan transistor dwikutub	Tunggal emitor · Tunggal kolektor · Tunggal basis
Transistor ekakutub	FET: MOSFET (ISFET · DNAFET) · JFET (FREDFET · MESFET) · HEMT
Penggunaan transistor ekakutub	Tunggal sumber · Tunggal cerat · Tunggal gerbang
Gabungan transistor	Pasangan Darlington · Pasangan Sziklai · Pasangan ekor panjang · Pasangan kaskoda
Portal Elektronika