.jpg)
DDR3 SDRAM (singkatan dari bahasa Inggris: Double Data Rate Type Three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) adalah antarmuka sirkuit terpadu memori akses acak dinamis sinkron berkecapatan tinggi yang distandardisasi oleh JEDEC pada tahun 2007.[1] DDR3 dirancang sebagai penerus generasi DDR2 SDRAM, menawarkan peningkatan laju transfer data hingga dua kali lipat, penggandaan kapasitas penyimpanan per keping chip, serta penurunan konsumsi daya listrik sekitar 30%.
DDR3 banyak digunakan pada era mikroarsitektur prosesor Intel Core generasi pertama (Nehalem) hingga generasi ke-4 (Haswell), serta jajaran prosesor AMD berbasis soket AM3 dan FM2. Standar ini kemudian digantikan secara bertahap oleh DDR4 SDRAM sejak akhir 2014 dan DDR5 SDRAM pada awal dekade 2020-an.
Karakteristik teknis
Perbedaan mendasar antara DDR3 dengan generasi sebelumnya terletak pada arsitektur pengambilan data awal (prefetch buffer). DDR3 mengadopsi mekanisme 8n-prefetch, meningkat dua kali lipat dibandingkan DDR2 (4n) dan empat kali lipat dari DDR1 (2n). Mekanisme ini memungkinkan bus I/O mentransfer 8 kata data untuk setiap satu siklus akses clock internal modul.[2]
Efisiensi daya dan tegangan operasi
DDR3 standar beroperasi pada tegangan listrik nominal 1,5 V, jauh lebih hemat dibanding DDR2 (1,8 V) dan DDR1 (2,5 V). Selain standar 1,5 V, JEDEC kemudian merilis addendum standar voltase rendah guna memperpanjang daya tahan baterai pada perangkat komputer jinjing dan peladen sentra data:
- DDR3L (Low Voltage): Beroperasi pada tegangan 1,35 V (standar JEDEC JESD79-3-1). Modul DDR3L bersifat voltase ganda (dual-voltage) sehingga tetap kompatibel saat dipasang pada papan induk DDR3 1,5 V konvensional.[3]
- DDR3U (Ultra Low Voltage): Beroperasi pada tegangan sangat rendah 1,25 V.
Topologi dan perutean sinyal
DDR3 beralih dari topologi T-branch (yang digunakan pada DDR2) ke topologi Fly-by untuk jalur sinyal perintah, alamat, dan kendali clock. Topologi berantai ini mengurangi pantulan sinyal pada frekuensi tinggi. Sebagai kompensasi atas perbedaan waktu tempuh sinyal ke masing-masing chip DRAM, pengontrol memori menggunakan teknik kalibrasi dinamis yang disebut read/write leveling.[4]
Faktor bentuk fisik dan pin
Meskipun modul DIMM DDR3 untuk komputer meja memiliki jumlah pin yang sama dengan DDR2 (240 pin), kedua standar ini tidak saling kompatibel secara fisik maupun elektrik. Celah pemandu mekanis (key notch) pada DDR3 digeser mendekati salah satu sisi untuk mencegah modul dipasang ke slot yang salah:
- DIMM 240-pin: Digunakan pada komputer meja (desktop).
- SO-DIMM 204-pin: Digunakan pada komputer jinjing (laptop) dan sistem terbenam kompak (DDR2 SO-DIMM menggunakan 200 pin).
- MicroDIMM 214-pin: Digunakan pada perangkat sub-notebook tertentu.
Profil XMP (Extreme Memory Profile)
Pada modul DDR3 performa tinggi untuk keperluan komputasi antusias dan permainan video, Intel memperkenalkan ekstensi data SPD bernama Extreme Memory Profile (XMP). XMP memungkinkan pengguna mengaktifkan pengaturan frekuensi di atas standar JEDEC (seperti DDR3-1866, DDR3-2133, atau DDR3-2400) dan pengetatan latensi secara otomatis melalui BIOS/UEFI tanpa perlu melakukan konfigurasi manual yang rumit.[5]
Spesifikasi standar JEDEC
| Standar chip | Clock memori (MHz) | Waktu siklus (ns) | Clock bus I/O (MHz) | Laju transfer (MT/s) | Standar modul | Bandwidth puncak teoritis (MB/s) | Waktu latensi CAS (CL) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR3-800 | 100 | 10 | 400 | 800 | PC3-6400 | 6.400 | 5, 6 |
| DDR3-1066 | 133,3 | 7,5 | 533,3 | 1066 | PC3-8500 | 8.533 | 6, 7, 8 |
| DDR3-1333 | 166,6 | 6 | 666,6 | 1333 | PC3-10600 | 10.666 | 7, 8, 9, 10 |
| DDR3-1600 | 200 | 5 | 800 | 1600 | PC3-12800 | 12.800 | 8, 9, 10, 11 |
| DDR3-1866 | 233,3 | 4,28 | 933,3 | 1866 | PC3-14900 | 14.933 | 9, 10, 11, 12, 13 |
| DDR3-2133 | 266,6 | 3,75 | 1066,6 | 2133 | PC3-17000 | 17.066 | 10, 11, 12, 13, 14 |
Perbandingan antar-generasi
| Parameter | DDR2 SDRAM | DDR3 SDRAM | DDR4 SDRAM |
|---|---|---|---|
| Tahun rilis komersial | 2003 | 2007 | 2014 |
| Prefetch buffer | 4n | 8n | 8n + Bank Groups (16n) |
| Tegangan standar | 1,8 V | 1,5 V (1,35 V pada DDR3L) | 1,2 V (1,05 V pada DDR4L) |
| Pin DIMM (Desktop) | 240 pin | 240 pin (letak takik berbeda) | 288 pin |
| Pin SO-DIMM (Laptop) | 200 pin | 204 pin | 260 pin |
| Laju transfer umum | 400–1066 MT/s | 800–2133 MT/s | 1600–3200 MT/s |
| Kapasitas modul maksimal | 4 GB (8 GB ECC) | 8 GB (16 GB ECC) | 32 GB (128 GB ECC) |
Penerus
Standar penerus DDR3 adalah DDR4 SDRAM yang disahkan JEDEC pada September 2012 dan mulai beredar di pasar ritel bersamaan dengan peluncuran platform Intel Haswell-E pada pertengahan 2014.[6] DDR4 menawarkan efisiensi voltase standar 1,2 V, arsitektur modul 288-pin dengan kontak melengkung, serta dukungan frekuensi transfer data yang jauh melampaui batas kemampuan fisik bus DDR3.
Lihat pula
- DDR SDRAM
- DDR2 SDRAM
- DDR4 SDRAM
- DDR5 SDRAM
- DDR6 SDRAM
- Saluran ganda (Dual-channel)
Referensi
- ↑ "JESD79-3F: DDR3 SDRAM Standard". JEDEC Solid State Technology Association (dalam bahasa Inggris). 2012-07-01. Diakses tanggal 2026-09-24.
- ↑ Jacob, Bruce; Ng, Spencer; Wang, David (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk (dalam bahasa Inggris). Morgan Kaufmann. hlm. 353–360. ISBN 978-0-12-379751-3.
- ↑ "JEDEC Publishes DDR3L Low Voltage Standard". JEDEC (dalam bahasa Inggris). 2010-07-26. Diakses tanggal 2026-09-24.
- ↑ "DDR3 Fly-by Routing and Leveling Techniques" (dalam bahasa Inggris). Micron Technology. 2008-04-01. Diakses tanggal 2026-09-24.
- ↑ "Intel Extreme Memory Profile (Intel XMP) DDR3 Specifications" (dalam bahasa Inggris). Intel Corporation. 2012-05-01. Diakses tanggal 2026-09-24.
- ↑ "JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard". JEDEC (dalam bahasa Inggris). 2012-09-25. Diakses tanggal 2026-09-24.