Proses Czochralski

Kristalisasi
Dasar
Kristal Nukleasi Struktur kristal
Konsep
Kristal benih Kristal tunggal Kristalisasi Pertumbuhan kristal Protokristalin Rekristalisasi
Metode dan teknologi
Boule Epitaksi Kristalisasi fraksional Krus tengkorak Metode Bridgman–Stockbarger Metode Czochralski Metode fluks Metode Kyropoulos Metode Verneuil Peleburan zona Pembekuan fraksional Penarikan mikro ke bawah Pertumbuhan pedestal yang dipanaskan dengan laser Proses pembentukan dalam pertumbuhan kristal Proses van Arkel–de Boer Sintesis hidrotermal
l b s

Proses Czochralski digunakan untuk pemurnian suatu bahan dengan cara pengkristalan. Bahan yang akan dikristalkan dimasukan ke dalam tempat yang sulit bereaksi dengan zat lain seperti quartz dan gas mulia argon. Contoh proses ini adalah pemurnian silikon yang nantinya akan dibuat wafer untuk sirkuit terpadu. Silikon yang akan dimurnikan dengan mengkristalkannya diletakkan di dalam tempat yang terbuat dari kuarsa dan dilelehkan. Sebuah silinder yang ujungnya terbuat dari kristal silikon dicelupkan kedalam lelehan silikon yang belum murni. Silinder dengan ujung silikon murni tersebut diputar dengan sangat pelan ke arah atas yang suhunya lebih dingin. Dengan pendinginan secara pelan-pelan, pengkristalan akan terjadi dengan sempurna di bagian atas dan secara otomatis pengotor akan bergerak ke arah bawah. Pada akhir proses, pengotor akan tinggal di dalam wadah kuarsa dan silikon murni akan menjadi batang silinder yang memanjang.

Artikel bertopik kimia ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

• l
• b
• s