MOSFET daya adalah jenis transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) khusus yang dirancang untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Dibandingkan dengan perangkat semikonduktor daya lainnya, seperti transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT) atau thyristor, keunggulan utamanya adalah kecepatan peralihan yang tinggi dan efisiensi yang baik pada tegangan rendah. Ia berbagi dengan IGBT sebuah gerbang terisolasi yang membuatnya mudah dikendarai. Mereka dapat mempunyai gain yang rendah, kadang-kadang sampai pada tingkat di mana tegangan gerbang harus lebih tinggi dari tegangan yang dikendalikan.[1][2][3]
Desain MOSFET daya dimungkinkan oleh evolusi teknologi MOSFET dan CMOS, yang digunakan untuk pembuatan sirkuit terpadu sejak tahun 1960an. MOSFET daya berbagi prinsip operasinya dengan mitranya yang berdaya rendah, MOSFET lateral. MOSFET daya, yang biasa digunakan dalam elektronika daya, diadaptasi dari MOSFET standar dan diperkenalkan secara komersial pada tahun 1970an.
MOSFET daya adalah perangkat semikonduktor daya yang paling umum di dunia, karena daya penggerak gerbangnya yang rendah, kecepatan peralihan yang cepat, kemampuan paralel tingkat lanjut yang mudah, bandwidth lebar, ketangguhan, penggerak mudah, biasing sederhana, kemudahan penerapan, dan kemudahan perbaikan. Secara khusus, ini adalah saklar tegangan rendah (kurang dari 200 V) yang paling banyak digunakan. Ini dapat ditemukan dalam berbagai aplikasi, seperti sebagian besar catu daya, konverter DC-ke-DC, pengontrol motor tegangan rendah, dan banyak aplikasi lainnya.
Referensi
- ↑ Irwin, J. David (1997). The Industrial Electronics Handbook. CRC Press. hlm. 218. ISBN 9780849383434.
- ↑ "Power MOSFET Basics" (PDF). Alpha & Omega Semiconductor. Diakses tanggal 29 Juli 2019.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Duncan, Ben (1996). High Performance Audio Power Amplifiers. Elsevier. hlm. 178–81. ISBN 9780080508047.
