Dioda laser adalah sejenis dioda di mana media aktifnya menggunakan sebuah semikonduktor persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada dioda pemancar cahaya. Dioda laser kadang juga disingkat LD atau ILD.
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan Universitas Harvard. Prinsip kerja dioda ini sama seperti Dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian elektronika, yang terdiri dari jenis p dan n. Pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan, yaitu:
- biased forward, arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ).
- backforward biased, ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika.
Bacaan lanjutan
- B. Van Zeghbroeck's Principles of Semiconductor Devices( for direct and indirect band gaps)
- Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). Fundamentals of Photonics. New York: John Wiley & Sons. ISBN0-471-83965-5. ( For Stimulated Emission )
- Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS)
- Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS)
- Duarte, F. J. (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in Tunable Laser Applications. New York: CRC Press. ISBN9781482261066. pp. 203–241 (For external cavity Diode lasers).
 | Artikel bertopik elektronika ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |
| Internasional | |
|---|---|
| Nasional | |
| Lain-lain | |
