Galium nitrida (GaN) adalah semikonduktor celah pita langsung biner III/V yang umum digunakan dalam dioda pemancar cahaya biru sejak tahun 1990-an. Senyawa ini merupakan material yang sangat keras dengan struktur kristal Wurtzite. Celah pita lebarnya, yaitu 3,4 eV, memberikannya sifat-sifat khusus untuk aplikasi optoelektronika, perangkat berdaya dan berfrekuensi tinggi. Sebagai contoh, GaN adalah substrat yang memungkinkan dioda laser ungu (405 nm), tanpa memerlukan penggandaan frekuensi optik nonlinier.
Sensitivitasnya terhadap radiasi pengion rendah (seperti nitrida golongan III lainnya), sehingga menjadikannya material yang cocok untuk susunan sel surya satelit. Aplikasi militer dan antariksa juga dapat diuntungkan karena perangkat telah menunjukkan stabilitas di lingkungan radiasi tinggi.[1][2][3][4][5]
Karena transistor GaN dapat beroperasi pada suhu dan tegangan yang jauh lebih tinggi daripada transistor galium arsenida (GaAs), transistor ini ideal untuk penguat daya pada frekuensi gelombang mikro. Selain itu, GaN menawarkan karakteristik yang menjanjikan untuk perangkat THz. Karena kepadatan daya yang tinggi dan batas tegangan tembus, GaN juga muncul sebagai kandidat yang menjanjikan untuk aplikasi stasiun pangkalan seluler 5G. Sejak awal tahun 2020-an, transistor daya GaN semakin banyak digunakan dalam catu daya peralatan elektronik, mengubah listrik AC menjadi DC tegangan rendah.
Referensi
- ↑ Czelej, K. (2024). "Atomistic Origins of Various Luminescent Centers and n-Type Conductivity in GaN: Exploring the Point Defects Induced by Cr, Mn, and O through an Ab Initio Thermodynamic Approach". Chemistry of Materials. 36 (13): 6392–6409. doi:10.1021/acs.chemmater.4c00178. PMC 11238542.
- ↑ Di Carlo, A. (2001). "Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening". Physica Status Solidi A. 183 (1): 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183...81D. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
- ↑ Arakawa, Y. (2002). "Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. Bibcode:2002IJSTQ...8..823A. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675.
- ↑ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken (Maret 2011). "Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress" (PDF). GOMAC Tech Conference.
{{cite web}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) - ↑ Ahi, Kiarash (September 2017). "Review of GaN-based devices for terahertz operation". Optical Engineering. 56 (9): 090901. Bibcode:2017OptEn..56i0901A. doi:10.1117/1.OE.56.9.090901 – via SPIE.
{{cite journal}}: Pemeliharaan CS1: Tanggal diterjemahkan otomatis (link) Pemeliharaan CS1: nomor artikel sebagai nomor halaman (link)
